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[发明专利]防止变松用结合结构-CN201410092371.7无效
发明人：任哲淳 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2014-03-13 - 公布日： 2014-12-24 - 主分类号： F16B39/24 文献下载
摘要：本发明涉及防止变松用结合结构，更详细地说，涉及能够防止螺栓与螺母因外部冲击而变松的防止变松用结合结构，为此，本发明提供一种防止变松用结合结构，包括：防止变松用垫圈，以环形形成，从中心辐射状地形成于两个表面的突出的多个凸起；及螺母，对应防止变松用垫圈的表面上形成的多个凸起，形成多个槽。
防止变松结合结构

[发明专利]半导体器件-CN201710831485.2有效
发明人：金俸彻;李炯锡;韩银洙 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-15 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：第一应变松弛缓冲层设置在衬底的图案形成区域上。第二应变松弛缓冲层设置在衬底的外围区域上。第一绝缘膜图案设置在衬底上。第一绝缘膜图案的至少一部分设置在第一应变松弛缓冲层内。第一绝缘膜图案的上表面由第一应变松弛缓冲层覆盖。第二绝缘膜图案设置在衬底上。第二绝缘膜图案的至少一部分设置在第二应变松弛缓冲层内。第二绝缘膜图案的上表面由第二应变松弛缓冲层覆盖。栅电极设置在第一应变松弛缓冲层上。
半导体器件

[发明专利]热塑性弹性体形变松弛的表征方法-CN200710173240.1无效
发明人：王霞;寇雪莹;刘克家;孙静 -专利权人：上海应用技术学院
申请日： 2007-12-27 - 公布日： 2008-08-27 - 主分类号： G01N3/28 文献下载
摘要：本发明涉及一种热塑性弹性体形变松弛的表征方法，对塑料改性的热塑性弹性体材料压缩形变松弛行为进行测量，即将试样在常温下置于压缩器中压缩一定时间，撤去压力后，跟踪测量测试材料的形变松弛情况，通过对所得的大量的实验数据的分析、拟合，建立热塑性弹性体形变松弛数学模型。
塑性弹性体形变松弛表征方法

[发明专利]一种垫片蠕变松弛性能预测方法、设备及存储介质-CN202211536436.3在审
发明人：章兰珠;沈伟明 -专利权人：华东理工大学
申请日： 2022-12-01 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： G06F30/17 文献下载
摘要：本发明涉及一种垫片蠕变松弛性能预测方法、设备及存储介质，该方法包括：S1、获取螺栓法兰接头中垫片内径和外径；S2、根据垫片尺寸以及垫片初始密封比压，计算待试验垫片的法向压力；S3、不同温度T和不同初始密封比压下，对待试验垫片进行蠕变松弛实验，并获取试验数据并进行预处理；S4、建立高温下垫片蠕变量Δ(t)与高温下垫片的初始密封比压、温度、时间之间的关系；S5、对相同密封比压不同温度以及相同温度不同密封比压的试验数据进行拟合，得到垫片蠕变松弛性能表征式；S6、基于S5中获取到的垫片蠕变松弛性能表征式，对设定温度和设定初始密封比压下的垫片蠕变松弛性能进行预测。与现有技术相比，本发明具有垫片蠕变松弛性能预测准确性高的优点。
一种垫片松弛性能预测方法设备存储介质

[发明专利]一种橡胶材料应力松弛及损伤效应的数值预测方法-CN202010978728.7有效
发明人：冷鼎鑫;黄冲;马永;刘贵杰;肖海燕;卢丙举 -专利权人：中国海洋大学;中国船舶重工集团公司第七一三研究所
申请日： 2020-09-17 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G06F30/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种橡胶材料应力松弛及损伤效应的数值预测方法，包括如下步骤：橡胶材料时变松弛‑损伤本构模型的建立；橡胶材料的力学试验测试；将时变松弛‑损伤本构模型应用于有限元软件，构建时变松弛‑损伤本构关系与有限元数值模拟技术的相容性仿真计算方法；根据第二步获得的橡胶材料的力学试验数据，利用第三步建立的相容性仿真计算方法对橡胶材料时变松弛‑损伤本构模型的关键参数进行拟合识别；根据建立的时变松弛‑损伤本构模型及识别的参数，通过第三步建立的相容性仿真计算方法，对橡胶材料的时变松弛行为及损伤变形数值进行模拟预测。
一种橡胶材料应力松弛损伤效应数值预测方法

[发明专利]防止螺纹紧固件变松的方法和设备-CN201710321621.3有效
发明人： D·兹克维斯基;A·B·斯蒂芬斯;J·S·特纳 -专利权人：迪尔公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2020-07-28 - 主分类号： F16B39/12 文献下载
摘要：本发明涉及防止螺纹紧固件变松的方法和设备。单独使用采取头部带凸缘的有头螺钉形式的螺纹保持件或者与较大直径垫圈相组合地使用该螺纹保持件，以轴向地摩擦接合螺纹紧固件的头部或组件，从而防止紧固件退转而变松。螺纹紧固件在变松方向上的转动的所有趋势都被螺纹保持件阻止，其中在第一实施方式中凸缘头部和/或大直径垫圈之间的摩擦接合使所述螺纹保持件趋于变紧，而其中在第二实施方式中凸缘头部和/或大直径垫圈与紧固件中的凹部装置相配合而阻止所述紧固件变松
防止螺纹紧固变松方法设备

[发明专利]模版及模版穿孔设备-CN00122690.8无效
发明人：高桥满 -专利权人：东北理光株式会社
申请日： 1996-06-20 - 公布日： 2004-02-25 - 主分类号： B41L13/04 文献下载
摘要：这就能防止模版在旋转过程中不稳定时因模版卷的惯力而变松。因此，模版会在不变松的情况下从模版卷中释放出来。
模版穿孔设备

[发明专利]模版卷及模版穿孔设备-CN96190832.7无效
发明人：高桥满 -专利权人：东北理光株式会社
申请日： 1996-06-20 - 公布日： 2001-04-25 - 主分类号： B41L13/04 文献下载
摘要：这就能防止模版在旋转过程中不稳定时因模版卷的惯力而变松。因此，模版会在不变松的情况下从模版卷中释放出来。
模版穿孔设备

[发明专利]用于形成半导体材料的外延方法和结构-CN200980156217.9无效
发明人： C·阿雷纳 -专利权人： S.O.I.TEC绝缘体上硅技术公司
申请日： 2009-02-05 - 公布日： 2012-01-04 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：用于形成应变减小的结构的结构和方法包括形成基本应变松弛的多个岛结构，以及将这些岛结构用于后续的应变松弛基本连续半导体材料层的进一步生长。
用于形成半导体材料外延方法结构

[发明专利]第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法-CN201310085493.9有效
发明人：斋藤义树;牛田泰久;青木真登 -专利权人：丰田合成株式会社
申请日： 2013-03-18 - 公布日： 2016-11-23 - 主分类号： H01L33/02 文献下载
摘要：本发明提供了在薄GaN衬底上形成第III族氮化物化合物半导体层的过程中抑制应变松弛层中位错的发生的第III族氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法。发光器件(100)包括支承衬底(10)、GaN衬底(20)、n型接触层(30)、应变松弛层(40)(n型InGaN层)、发光层(50)、p型覆层(60)以及p型接触层(70)。应变松弛层(40)(n型InGaN层)具有在大于0％至3％的范围内的In组成比率X。
iii 氮化物化合物半导体发光器件及其制造方法

[发明专利]非金属密封垫片蠕变松弛测试方法-CN201310475426.8无效
发明人：赵添常;黄传刚;刘浩宇;潘斯宁;秦栋 -专利权人：广西玉柴机器股份有限公司
申请日： 2013-10-12 - 公布日： 2014-02-12 - 主分类号： G01N3/28 文献下载
摘要：本发明公开了一种非金属密封垫片蠕变松弛测试方法。该非金属密封垫片蠕变松弛测试方法通过对比同类产品在相同控制条件下，随时间的推移保持给定压缩应力的能力，也即螺栓扭矩损失的程度，来评价垫片的蠕变松弛率。
非金属密封垫片松弛测试方法

[发明专利]用于进行组织保存的组合物以及方法-CN201610078329.9在审
发明人： H·塔特;P·特里诺尔;S·克胡利;L·罗索 -专利权人：哈佛学院董事会;美国政府退伍军人事务部
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2016-07-13 - 主分类号： A01N1/02 文献下载
摘要：通过维持ATP(三磷酸腺苷)的水平，线粒体的功能，心肌细胞的收缩性，预防酸中毒，抑制细胞凋亡的诱发，维持变力性(inotrophy)以及变松性(lusitropy)从而维持代谢功能，其中所述的变力性以及变松性的维持是通过调节钙离子
用于进行组织保存组合以及方法

[发明专利]用于进行组织保存的组合物以及方法-CN201510337174.1有效
发明人： H·塔特;P·特里诺尔;S·克胡利;L·罗索 -专利权人：哈佛学院董事会;美国政府退伍军人事务部
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2018-12-14 - 主分类号： A01N1/02 文献下载
摘要：通过维持ATP(三磷酸腺苷)的水平，线粒体的功能，心肌细胞的收缩性，预防酸中毒，抑制细胞凋亡的诱发，维持变力性(inotrophy)以及变松性(lusitropy)从而维持代谢功能，其中所述的变力性以及变松性的维持是通过调节钙离子
用于进行组织保存组合以及方法

[发明专利]用于进行组织保存的组合物以及方法-CN200880011995.4无效
发明人： H·塔特;P·特里诺尔;S·克胡利;L·罗索 -专利权人：哈佛学院董事会;美国政府退伍军人事务部
申请日： 2008-02-19 - 公布日： 2010-07-28 - 主分类号： A01N1/02 文献下载
摘要：通过维持ATP(三磷酸腺苷)的水平，线粒体的功能，心肌细胞的收缩性，预防酸中毒，抑制细胞凋亡的诱发，维持变力性(inotrophy)以及变松性(lusitropy)从而维持代谢功能，其中所述的变力性以及变松性的维持是通过调节钙离子
用于进行组织保存组合以及方法

[发明专利]具有硅-锗量子阱的高迁移率PMOS及NMOS装置-CN201510685893.2在审
发明人： D·K·纳亚克 -专利权人：格罗方德半导体公司
申请日： 2015-10-21 - 公布日： 2016-04-27 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：在该衬底上形成应变松弛层。在该应变松弛层上形成第一拉伸应变层。在该第一拉伸应变层上形成第一压缩应变层。
具有量子迁移率 pmos nmos 装置

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